晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 因其成本性能比和无衬底封装而具吸引力,但却受到芯片尺寸的限制。另一种替代方案,扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术正在研发和应用,因为它允许通过“扇出”与外部衬垫互连来增加 I/O 密度。较终使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。异构集成的半导体封装技术,如系统级封装 (SIP) 和堆叠封装 (PoP) 基础结构,由于日益复杂的集成而面临着重大挑战。
晶圆级封装挑战
对于许多此类技术来说,薄化器件的衬底处理是制造流程中的一个主要挑战。硅晶片薄化至 <50 微米 (µm),或使用一个 RDL-first流程创建的重分布层 (RDL) 需非常小心且制造成本很昂贵。处理过程要求使用通过临时键合和解键合 (TBDB) 技术处理支撑衬底,以方便构建复杂的封装基础机构。
使用热塑性聚合物制造的临时键合材料通常用于 TB/DB 工艺。当与载体衬底一起使用时,它们能够提供热机械稳定性,并使薄型器件衬底更易于处理。然而,在更高的温度下,这些材料表现得更像液体,随着熔体粘度的降低,机械稳定性也逐渐消失,材料软化,从而降低了键合层的稳定性。器件晶圆可能发生变形和分层,导致下游工艺出现问题。
芯片封装气泡问题
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